Intel第12代酷睿處理器首發(fā)支持DDR5內(nèi)存并能兼容DDR4，標(biāo)志著內(nèi)存市場新一輪更新?lián)Q代的開始。眾多內(nèi)存廠商也陸續(xù)推出了DDR5內(nèi)存，4800MHz起步，帶寬相比DDR4內(nèi)存提升了不少。今天編輯拿到宇瞻NOX暗黑女神 DDR5 5200內(nèi)存，跟大家分享一下它的表現(xiàn)。

帶著神秘感的電競風(fēng)，獨特新穎

宇瞻NOX暗黑女神 DDR5 5200 16GX2內(nèi)存套裝以潑墨意象帶出 NOX 暗黑女神的神秘感，內(nèi)存標(biāo)簽上顯示了頻率、容量以及時序，CL值為38-38-38-84，相比DDR4內(nèi)存而言延遲確實有點高，這也是目前DDR5內(nèi)存的一個小遺憾。但是DDR5內(nèi)存帶寬性能更高，且支持 Intel XMP3.0 一鍵超頻技術(shù)，讓玩家在游戲過程中能夠享受穩(wěn)定且高性能的協(xié)作支持。同時，這款內(nèi)存還搭載電源管理芯片，強化散熱設(shè)計，避免因為過熱導(dǎo)致游戲卡頓或者電腦藍屏等崩潰狀態(tài)。

實測：比DDR4內(nèi)存提升幅度明顯

測試平臺：

處理器：Intel酷睿i9 12900K

內(nèi)存：宇瞻NOX暗黑女神DDR5 5200 16GB×2套裝

主板：ROG MAXIMUS Z690 HERO

顯卡：GeForce RTX 3090

硬盤：WD_BLACK SN850 2TB

電源：ROG雷神1200W

操作系統(tǒng)：Windows 11 專業(yè)版 21H2 （22000.282）

Intel酷睿i9 12900K對DDR5內(nèi)存提供了XMP 3.0標(biāo)準(zhǔn)，內(nèi)存SPD中增加了兩個可供玩家覆寫的配置文檔，并支持動態(tài)頻率加速技術(shù)，低載下保持JEDEC默認(rèn)頻率，高載下加速到XMP頻率，超頻控制更加靈活。

宇瞻NOX暗黑女神DDR5 5200 16GB×2內(nèi)存套裝采用的是美光顆粒，在BIOS中開啟XMP，可以看到它預(yù)設(shè)的參數(shù)為5200 MHz@38-38-38-84 1.1V。首先在默認(rèn)設(shè)置下運行了AIDA 64的內(nèi)存測試，可以看到雙通道模式下，它的讀取速度達到了82680MB/s，遠遠超過了高端DDR4內(nèi)存。（在這里提醒大家：如果你在用這個軟件測試時發(fā)現(xiàn)速度為0，請將軟件升級到最新版本，并用有效序列號激活）。

在與某高端DDR4 3600內(nèi)存的對比中，宇瞻NOX暗黑女神DDR5 5200 16GB×2內(nèi)存套裝的讀取速度提升超過50%，寫入和復(fù)制提升幅度也不小。可見DDR5內(nèi)存相比DDR4內(nèi)存在性能上的確是更配高端處理器平臺的選擇。

此外，這款內(nèi)存還有一鍵超頻功能，肯定要試試。在BIOS中，直接將內(nèi)存頻率提升到5333MHz，其他保持不變的情況下，出現(xiàn)了系統(tǒng)崩潰藍屏（每一條內(nèi)存的體質(zhì)有一定差別）。于是將時序調(diào)整為40-40-40-84，很順利并且快速進入了系統(tǒng)，再次用AIDA 64進行了內(nèi)存性能測試。

從測試成績來看，在超頻到5333MHz之后，宇瞻NOX暗黑女神DDR5 5200 16GB×2內(nèi)存套裝的讀取速度達到84957MB/s，寫入速度達到75295MB/s，復(fù)制速度達到76539MB/s，速度提高的同時，延遲相比5200MHz頻率下也變高了，好在并沒有高很多。

高端電競平臺內(nèi)存優(yōu)選，跟上DDR5新時代

DDR5內(nèi)存作為次世代平臺的首選，成為下一代內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。盡管比DDR4內(nèi)存延遲高了不少，但從宇瞻NOX暗黑女神DDR5 5200 16GB×2內(nèi)存套裝的超頻測試來看，更高頻率的DDR5內(nèi)存在性能上也秒殺了DDR4內(nèi)存，在帶寬和讀寫速度上有非常巨大的提升。同時你還可以而自定義XMP配置文件，帶來更多的可玩性和便利性，絕對算得上高端電競平臺內(nèi)存優(yōu)選。

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