從去年開始，“缺貨”和“漲價(jià)”成了圍繞半導(dǎo)體行業(yè)的實(shí)時(shí)關(guān)鍵詞。隨一波接一波缺貨而來(lái)的，是一浪高過(guò)一浪的報(bào)價(jià)。芯片尤是，MOSFET也不例外。

漲聲不斷 MOSFET出貨告急

受限于原材料緊缺和8英寸晶圓廠產(chǎn)能緊張，MOSFET價(jià)格從去年開始上漲。今年以來(lái)，東南亞地區(qū)疫情仍不見好轉(zhuǎn)，英飛凌（Infineon），意法半導(dǎo)體（ST）、安森美（ON）等國(guó)際IDM廠商紛紛發(fā)布漲價(jià)通知，掀起新一輪漲價(jià)潮。

近日，據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，華潤(rùn)微、揚(yáng)杰科技和新潔能等國(guó)內(nèi)廠商預(yù)計(jì)將在今年第四季度再次提高M(jìn)OSFET報(bào)價(jià)。

相較去年，MOSFET 價(jià)格自4 月起開始大幅上漲。目前MOSFET原廠已有多款型號(hào)產(chǎn)品價(jià)格上漲2-3倍，個(gè)別產(chǎn)品漲幅甚至超過(guò)7倍。

（圖片來(lái)源：方正證券）

捷捷微電子、華潤(rùn)微、聞泰科技等廠商多次上調(diào)價(jià)格，產(chǎn)品交期也從2個(gè)月延長(zhǎng)至5個(gè)月。根據(jù)貿(mào)澤電子網(wǎng)站數(shù)據(jù)，聞泰旗下安世半導(dǎo)體部分MOSFET產(chǎn)品交期長(zhǎng)達(dá)69周。

（截圖來(lái)源：貿(mào)澤電子）

市場(chǎng)觀點(diǎn)普遍認(rèn)為，此輪半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈缺貨根源是“結(jié)構(gòu)性缺貨”。受新冠疫情和自然災(zāi)害等突發(fā)事件爆發(fā)，以及5G通訊、新能源汽車等行業(yè)快速發(fā)展的疊加影響，各廠產(chǎn)能利用率低水平與高需求的顯著差距使MOSFET陷入出貨告急狀態(tài)。考慮到價(jià)格上漲和交期延長(zhǎng)，一些采購(gòu)商正在積極堆高庫(kù)存，進(jìn)一步加劇了市場(chǎng)供需失衡。

（圖片來(lái)源：方正證券）

實(shí)際上， 這并不是MOSFET功率器件第一次的大規(guī)模缺貨漲價(jià)。2016年下半年在存儲(chǔ)漲價(jià)拉動(dòng)下， MLCC、MOSFET等元器件價(jià)格居高不下。根據(jù)富昌電子2017年第四季度發(fā)布的市場(chǎng)行情報(bào)告，低壓和高壓MOSFET交期在經(jīng)過(guò)一年多的時(shí)間仍普遍處于延長(zhǎng)狀態(tài)，其中低壓MOSFET產(chǎn)品交期長(zhǎng)達(dá)16-38周。

當(dāng)時(shí)正值全球加速布局物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)，半導(dǎo)體公司掘金IoT、汽車電子、AI等新興市場(chǎng)，下游應(yīng)用需求不斷擴(kuò)張，但上游晶圓產(chǎn)能卻受到限制。時(shí)隔四年，歷史又重現(xiàn)。

小型fabless無(wú)米下鍋 存亡難料

隨著MOSFET供給缺口持續(xù)拉大，相比IDM集研發(fā)與生產(chǎn)一體的廠商，采用fabless模式的MOSFET供應(yīng)商不僅為拿到穩(wěn)定晶圓產(chǎn)能配額而焦頭爛額，還要面臨晶圓、封測(cè)成本上調(diào)的壓力。小型fabless甚至正面臨生死存亡的考驗(yàn)。

NH Investment & Securities預(yù)計(jì)，受供需失衡影響，今年第三季度晶圓代工價(jià)格將繼續(xù)上漲15%-30%。目前包括臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯國(guó)際、世界先進(jìn)在內(nèi)等廠商均已上調(diào)代工服務(wù)價(jià)格。芯片的平均交付周期也從17周增加到19周，較往常多出5周。

與此同時(shí)，引線框架及模塑料等材料成本持續(xù)上漲，該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)封測(cè)廠商將在下半年繼續(xù)提高報(bào)價(jià)。

日月光投控在2021年第一季度調(diào)漲封測(cè)價(jià)格5%-10%，部分高端封測(cè)服務(wù)漲幅高達(dá)三成。據(jù)業(yè)內(nèi)人士稱，日月光第三季度除取消3%-5%的價(jià)格優(yōu)惠外，也將再度提高打線封裝價(jià)格，漲幅約5%-10%。

國(guó)金證券研報(bào)指出，不同于邏輯器件制造成本中封測(cè)占比僅為15%-25%，對(duì)于功率器件，封測(cè)占比達(dá)到35%-50%。因此封測(cè)廠漲價(jià)對(duì)MOSFET產(chǎn)品的價(jià)格影響更大。

盡管中芯國(guó)際、聯(lián)電等代工廠早前宣布將擴(kuò)產(chǎn)8英寸產(chǎn)能，但考慮到建廠和設(shè)備交期延長(zhǎng)等事項(xiàng)，產(chǎn)能調(diào)整通常需要1-2年時(shí)間。因此短期內(nèi)，此輪價(jià)格上漲可為IDM企業(yè)經(jīng)營(yíng)帶來(lái)利好，但對(duì)于沒(méi)有產(chǎn)能的小型MOSFET廠商來(lái)說(shuō)，則是“無(wú)米下鍋”，存亡難料。

數(shù)據(jù)顯示，我國(guó)華南地區(qū)和江浙滬地區(qū)有眾多中小型MOSFET企業(yè)，多采用fabless模式。這意味著，行業(yè)新一輪洗牌或?qū)⒕痛思铀伲琈OSFET市場(chǎng)集中度有望再度拔高。

代工廠加速導(dǎo)入 國(guó)產(chǎn)IDM看準(zhǔn)替代機(jī)會(huì)

不過(guò)鑒于8 英寸代工產(chǎn)能供不應(yīng)求，國(guó)內(nèi)外供應(yīng)商也正將部分生產(chǎn)從8英寸轉(zhuǎn)至12英寸。

其中，國(guó)際廠商英飛凌、安森美已經(jīng)采用12英寸MOSFET功率器件，日本東芝今年也宣布引進(jìn)一條12英寸晶圓產(chǎn)線，提高低壓MOSFET產(chǎn)能。

在國(guó)內(nèi)IDM廠商中，聞泰科技安世半導(dǎo)體位于上海臨港的12英寸功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線預(yù)計(jì)2022年7月投產(chǎn)，年產(chǎn)能約為40萬(wàn)片；士蘭微旗下士蘭集科第一條12英寸生產(chǎn)線第一期項(xiàng)目于2020年12月正式投產(chǎn)，預(yù)計(jì)今年第四季度將實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)12英寸3萬(wàn)片晶圓的目標(biāo)。據(jù)悉，該公司規(guī)劃建設(shè)兩條12英寸特色工藝功率半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線。此外，華潤(rùn)微電子在“國(guó)家大基金”支持下，近期也宣布將在重慶投建12 英寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目，預(yù)計(jì)在2022年可以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能貢獻(xiàn)。另外，IC設(shè)計(jì)廠商新潔能則通過(guò)與華虹宏力緊密合作已首發(fā)12英寸平臺(tái)的MOSFET產(chǎn)品。

功率器件從8英寸向12英寸遷徙，將能夠帶來(lái)產(chǎn)能效率和經(jīng)濟(jì)效益。但就目前來(lái)說(shuō)，新廠仍面臨良率爬坡、規(guī)模量產(chǎn)等問(wèn)題，具體的成本優(yōu)勢(shì)尚不能體現(xiàn)。不過(guò)隨著國(guó)內(nèi)推進(jìn)以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)建設(shè)，國(guó)產(chǎn)功率器件有望獲得進(jìn)一步的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)。

2019年，中國(guó)發(fā)展成為全球第一大功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，占全球比重達(dá)35.9%。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模約為463億美元，其中分立MOSFET占比約為18%，市場(chǎng)空間約為83.34億美元，MOSFET模組約占1%。

隨著國(guó)內(nèi)加速產(chǎn)線建設(shè)，國(guó)際廠商逐步退出中低端市場(chǎng)，國(guó)產(chǎn)MOSFET等功率器件預(yù)計(jì)將提升市場(chǎng)滲透率。與此同時(shí)，基于供應(yīng)鏈安全及國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加速，中高端功率器件市場(chǎng)空間較大。現(xiàn)階段，國(guó)內(nèi)高端功率器件大部分市場(chǎng)仍由歐系廠商主導(dǎo)，國(guó)內(nèi)廠商研發(fā)及量產(chǎn)進(jìn)度不斷加快。

據(jù)了解，華潤(rùn)微中低壓 SGT MOSFET產(chǎn)品在高端電源、通信設(shè)備等領(lǐng)域已經(jīng)有所突破，高壓 MOSFET也與逆變器、基站電源等知名客戶達(dá)成合作，第五代超結(jié)產(chǎn)品已經(jīng)穩(wěn)定出貨；聞泰科技也針對(duì)5G電信基礎(chǔ)設(shè)施推出高耐用的功率MOSFET產(chǎn)品超微型MOSFET和LFPAK66封裝的P溝道NOSFET。另外，以深圳尚陽(yáng)通為代表的國(guó)內(nèi)企業(yè)也開始在功率器件賽道嶄露頭角，該公司先后在2020年和2021年推出第一款基于12英寸晶圓超級(jí)結(jié)MOSFET和SGT MOSFET，市場(chǎng)份額快速提升，并已在電源領(lǐng)域成為首選的一線品牌。

未來(lái)5年，中國(guó)MOSFET行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模（以銷量計(jì)）預(yù)計(jì)將以24.9%的年復(fù)合增長(zhǎng)率增長(zhǎng)至2858.6億只。在產(chǎn)線與產(chǎn)品的雙重建設(shè)下，國(guó)內(nèi)MOSFET廠商是否能在新一輪的漲價(jià)周期中承接市場(chǎng)份額或加速國(guó)產(chǎn)替代，都充滿可能性。（思坦）

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