【嘉勤點評】彤程新材的光刻膠專利，通過對硅片進行兩次烘烤處理，并對光刻膠和介質層進行回刻處理，避免在光刻膠平坦化刻蝕過程中出現過量刻蝕甚至破壞其他膜層的情況，能夠有效保證光刻膠回刻的平坦化程度。

國內半導體產業在上游一些材料和設備領域一直比較薄弱，國內不少上市企業紛紛挺進光刻機和光刻膠領域，助力國產半導體發展。彤程新材近日就以6.98億元投資了ArF高端光刻膠。

在半導體芯片的制造工藝中，光刻膠回刻平坦化是一項重要的工藝技術，其主要是利用涂覆到介質層上的光刻膠，對其進行刻蝕處理，從而達到平坦化介質層的目的。然而，在上述工藝過程中，如果介質層表面存在小縫隙，光刻膠涂覆烘烤過程中小縫隙中的空氣容易出現膨脹，會造成在小縫隙的表面形成一個氣泡。由于氣泡的存在，此處的光刻膠的厚度會很小，很容易被刻穿，進而導致氣泡所在的區域的介質層很容易被過量刻蝕，甚至還會損傷到介質層下方的其他膜層，從而導致平坦化效果變差。

為此，彤程新材于2017年7月12日申請了一項名為“一種光刻膠回刻平坦化方法”的發明專利（申請號: 201710564645.1），申請人為上海彤程電子材料有限公司。

圖1 光刻膠回刻平坦化方法流程示意圖

圖1為本發明提出的光刻膠回刻平坦化方法流程示意圖，主要包括以下步驟：首先在具有電路結構的硅片表面形成介質層（S1），再對所述硅片進行第一次烘烤處理以去除所述硅片表面的水汽（S2），具體地，硅片在形成介質層之后，進一步放入烘烤設備進行第一次烘烤處理，其主要目的是去除所述硅片表面的水汽，烘烤溫度和烘烤時間可以根據實際需要而定。

然后在硅片表面覆蓋增粘劑（S3），增粘劑的覆蓋區域具體為介質層的表面，主要為了在后續光刻膠涂覆過程中增加光刻膠和硅片之間的粘附性。之后在所述硅片表面涂覆光刻膠，其中所述光刻膠覆蓋所述介質層（S4）。由于在S4的光刻膠涂覆之前是沒有對硅片進行冷卻處理的，因此在經過第一次烘烤之后，硅片本身還是具有一定溫度的，光刻膠涂覆過程實際上也是硅片的自然冷卻過程，因此介質層中的小縫隙內部的空氣溫度也逐漸降低，進一步導致空氣出現收縮，因此具有一定黏度的光刻膠會被吸入到小縫隙的內部，并填充到小縫隙的底部，理想情況下，小縫隙可以被光刻膠全部填滿。

在所述光刻膠涂覆完成之后對所述硅片進行第二次烘烤以去除所述光刻膠的溶劑（S5）。具體而言，在光刻膠涂覆完成之后，可以通過對硅片進行第二次烘烤，以加溫的方式快速去除光刻膠中的溶劑。最后對所述光刻膠和所述介質層進行回刻處理，來使所述硅片表面平坦化（S6）。

簡而言之，彤程新材的光刻膠專利，通過對硅片進行兩次烘烤處理，并對光刻膠和介質層進行回刻處理，避免在光刻膠平坦化刻蝕過程中出現過量刻蝕甚至破壞其他膜層的情況，能夠有效保證光刻膠回刻的平坦化程度。

彤程新材是全球重要的輪胎橡膠用化工材料供應和服務商之一，堅持技術創新和管理創新，致力于成為全球范圍內擁有全產業鏈競爭優勢的化工材料制造和服務商。今后將進一步深化公司在電子材料領域的業務布局，彌補國內光刻膠技術與全球先進水平的差距。

（holly）