傳聯電擬斥資1000億新臺幣在新加坡建新12英寸晶圓廠
近日市場有消息稱聯電計劃投資逾1000 億元新臺幣在新加坡建設第二座12英寸晶圓廠,月產能至少2萬~3萬片,或生產40nm以下制程的芯片。
圖源:經濟日報
據鉅亨網報道,聯電對此回應稱,新加坡本來就有設廠,在全球有據點的地方持續評估建廠規劃,不過目前還沒有確切地點。
據了解,聯電新加坡廠Fab 12i位于白沙晶圓科技園區,于2004年開始量產,月產能為5 萬片,制程為0.13微米至40nm,產品涵蓋FPGA、無線通訊芯片等。
業界人士認為,聯電此次可能采40nm以下制程,如28nm制程生產芯片。
據悉,晶圓代工產能持續供不應求,聯電5月1日、7月1日代工報價已漲過兩波。由于產能不足,聯電計劃擴充在臺南科學園區 Fab 12A P6廠區產能,將采用28nm制程,月產能2.75萬片,客戶將以議定價格預先支付訂金,預計新產能將于2023年第2季度開出。
(Sharon)
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- 編輯:李娜
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