【嘉勤點評】江蘇多維科技的TMR開關(guān)傳感器專利，通過將多個磁電阻傳感單元串之間進(jìn)行串聯(lián)、并聯(lián)或者串并聯(lián)形成兩端口結(jié)構(gòu)，使傳感器具有低功耗，小尺寸，易于操作的優(yōu)點。

專業(yè)的隧道磁阻（TMR）磁傳感器領(lǐng)先供應(yīng)商多維科技有限公司即將在Sensors Converge 2021展會上推出可預(yù)置開關(guān)點的TMR磁開關(guān)傳感器 TMR13DX系列。TMR13DX支持出廠前要求對磁場開關(guān)點進(jìn)行預(yù)置，為包括水電氣表、接近開關(guān)、液位感應(yīng)、直線和旋轉(zhuǎn)位置檢測等多種應(yīng)用場合提供了更高的通用性和性能的一致性。

TMR線性磁電阻傳感器電橋，通常將一個具有單一磁場敏感方向的推磁電阻傳感單元切片翻轉(zhuǎn)180度，獲得X軸的挽磁電阻傳感器單元切片，而后通過綁定連接兩個切片，制備方法簡單，然而需要操作2個切片在同一平面內(nèi)進(jìn)行精確定位，增加了由于操作失誤導(dǎo)致的傳感器的測量精度損失的可能性。而采用多層薄膜結(jié)構(gòu)的鐵磁參考層的設(shè)計，可以實現(xiàn)相反鐵磁參考層的推磁電阻傳感單元和挽磁電阻傳感單元的制造，但由于在沉積多層薄膜時需要引入至少2種多層薄膜結(jié)構(gòu)，增加了微加工工藝的復(fù)雜性。

為此，江蘇多維科技于2017年12月14日申請了一項名為“一種磁滯激光編程的單切片TMR開關(guān)傳感器”的發(fā)明專利（申請?zhí)? 201721743900.0），申請人為江蘇多維科技有限公司。

圖1 磁滯開關(guān)傳感器的結(jié)構(gòu)圖

圖1為本發(fā)明提出的磁滯開關(guān)傳感器的結(jié)構(gòu)圖，磁滯激光編程的單切片TMR開關(guān)傳感器包括兩部分：磁滯開關(guān)傳感器，ASIC電路，其中磁滯開關(guān)傳感器對于外磁場源產(chǎn)生感應(yīng)，并將磁場信號轉(zhuǎn)變成電信號經(jīng)ASIC電路轉(zhuǎn)變成開關(guān)電平-磁場信號，其中外磁場源可以為永磁體的N或者S極。

磁滯開關(guān)傳感器包括襯底，以及位于襯底上的一個或者多個磁電阻傳感臂，磁電阻傳感臂為一個或多個磁電阻傳感單元串之間通過串聯(lián)、并聯(lián)或者串并聯(lián)而成的兩端口結(jié)構(gòu)，磁電阻傳感單元串包括一個或多個串聯(lián)磁電阻傳感單元，且磁電阻傳感單元為TMR傳感單元。

磁電阻傳感單元為橢圓、菱形、或中間矩形兩端錐形的雙軸對稱形狀，其長軸為L為N或S方向，短軸為W，其鈍化層為對激光透明的材料，上電極層材料為至少150nm厚度的Cu、Al、Au、Ti或Ta金屬導(dǎo)電材料，以防止被激光損傷。中間絕緣層為Al2O3或者M(jìn)gO材料，反鐵磁層為高阻塞溫度材料，自由層為高各向異性場Hk。當(dāng)磁電阻傳感單元之間通過長距離所述下電極層互聯(lián)時，下電極層所在區(qū)域被上電極層所在區(qū)域覆蓋，以保護(hù)下電極層免遭激光損傷。

簡而言之，江蘇多維科技的TMR開關(guān)傳感器專利，通過將多個磁電阻傳感單元串之間進(jìn)行串聯(lián)、并聯(lián)或者串并聯(lián)形成兩端口結(jié)構(gòu)，使傳感器具有低功耗，小尺寸，易于操作的優(yōu)點。

江蘇多維科技是全球性的高端磁阻傳感器技術(shù)先行者，專業(yè)為全球客戶提供高品質(zhì)和創(chuàng)新型的磁阻傳感器芯片以及穩(wěn)定、精確的磁場檢測方案。在核心團(tuán)隊的帶領(lǐng)下，多維科技致力于為客戶帶來更多附加值，并確保他們的成功。

（holly）