消息 近日，國(guó)星光電在接受投資者調(diào)研時(shí)表示，公司聚焦Mini/Micro LED超高清顯示領(lǐng)域， 持續(xù)推出有核心競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品系列：Mini LED方面，公司研發(fā)覆蓋了Mini直顯P0.4到P0.9全系列產(chǎn)品，其中 Mini LED P0.4系列產(chǎn)品為全球首發(fā)，采用獨(dú)創(chuàng) 20in1 封裝方式，是目前全球封裝密度最高的Mini產(chǎn)品；Mini背光方面，公司儲(chǔ)備Mini POB、Mini COB、Mini COG三大技術(shù)路線，可滿足不同客戶定制化需求。

Micro LED方面，國(guó)星光電發(fā)揮子公司國(guó)星半導(dǎo)體與本部上下游聯(lián)動(dòng)優(yōu)勢(shì)，巨量轉(zhuǎn)移工藝取得突破性進(jìn)展，產(chǎn)品良率高，同時(shí)國(guó)星半導(dǎo)體已開(kāi)發(fā)了面向于P0.3間距及面向P0.1間距的Micro LED芯片系列，并實(shí)現(xiàn)小批量供貨給國(guó)星光電研究院。

國(guó)星光電稱，目前國(guó)星半導(dǎo)體以 RGB芯片、倒裝芯片、紫光芯片等利基型產(chǎn)品為主，同時(shí)研發(fā)布局Mini和Micro領(lǐng)域，形成了Mini背光和Mini顯示兩大系列的芯片產(chǎn)品，同時(shí)發(fā)揮上下游垂直聯(lián)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)，協(xié)同

本部研究院進(jìn)行Micro LED關(guān)鍵技術(shù)的攻關(guān)；在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，聯(lián)合多所高校及研究所，發(fā)揮產(chǎn)學(xué)研協(xié)同優(yōu)勢(shì)，展開(kāi)GaN功率器件、紫外探測(cè)器芯片、深紫外UVC芯片等方向的研發(fā)工作，參與兩項(xiàng)第三代半導(dǎo)體方向的省級(jí)研發(fā)項(xiàng)目。

對(duì)于第三代半導(dǎo)體的布局，國(guó)星光電表示，公司一直高度關(guān)注三代半領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展與技術(shù)研究，致力于打造高可靠性、高品質(zhì)的功率器件封測(cè)業(yè)務(wù)。在上游芯片領(lǐng)域，公司有布局硅基氮化鎵的外延芯片；中游封裝領(lǐng)域，公司已建成第三代半導(dǎo)體功率器件實(shí)驗(yàn)室及試產(chǎn)線；下游應(yīng)用領(lǐng)域公司也在積極與相關(guān)企業(yè)洽談戰(zhàn)略性合作，并針對(duì)客戶的應(yīng)用需求定制開(kāi)發(fā)樣品等。

首先，LED封測(cè)轉(zhuǎn)向氮化鎵封測(cè)在技術(shù)上、工藝上、可靠性、能力上具有天然的優(yōu)勢(shì)；其次，公司下游客戶也會(huì)用到第三代半導(dǎo)體相關(guān)功率器件，具有客戶渠道協(xié)同的優(yōu)勢(shì)；同時(shí)，公司還具有外延芯片上的技術(shù)積累優(yōu)勢(shì)，子公司國(guó)星半導(dǎo)體有硅基氮化鎵芯片相關(guān)技術(shù)儲(chǔ)備。（Lee）