傳聯(lián)電22nm高壓制程最快明年首季試產(chǎn)驗(yàn)證
據(jù)臺媒《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，聯(lián)電與三星合作開發(fā)的22nm高壓制程最快明年首季開始試產(chǎn)驗(yàn)證，屆時(shí)將為三星代工新的OLED驅(qū)動(dòng)IC。
圖源：經(jīng)濟(jì)日報(bào)
據(jù)悉，聯(lián)電方面證實(shí)，22nm高壓制程正因應(yīng)客戶需求開發(fā)中，但無法透露客戶名稱。臺媒分析稱目前OLED驅(qū)動(dòng)IC廠商中僅有三星有能力導(dǎo)入聯(lián)電的22nm高壓制程，最快明年第1季開始小量試產(chǎn)驗(yàn)證，初期產(chǎn)能數(shù)千片，之后逐步放大至數(shù)萬片。
該報(bào)道指出，聯(lián)電22nm制程與原來28nm制程相比，能夠縮減10％的晶粒面積，且擁有更佳功率效能比和更強(qiáng)的射頻性能。22nm高壓制程則從原來可支持的1.8V／3.3V／5V／8V提高至最大到10V／18V。
（Yuki）
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