消息 1月25日，國星光電發布業績預告稱，公司預計2021年度實現歸屬于上市公司股東的凈利潤約為19218.17萬元—21241.14萬元，同比增長90%—110%，上年同期盈利為10114.83萬元。

另外，國星光電預計2021年度實現歸屬于上市公司股東的扣除非經常性損益的凈利潤約為13618.17萬元—16041.14萬元，同比增長136.74%—178.86%，上年同期盈利為5752.48萬元。

關于業績變動的原因，國星光電表示，報告期內，得益于國家疫情管控得當，LED行業景氣度探底回暖，公司產品訂單量較去年同期取得明顯增長；另一方面公司強化內部管理，積極開展降本增效工作。圍繞生產經營目標與重點工作計劃，公司調整產品結構，增加高附加值產品，穩步推進擴產擴能計劃。

另外，報告期內國星光電非經常性損益金額區間約為5,200萬元-5,600萬元，上年同期為4,362.35萬元。

資料顯示，國星光電是集研發、設計、生產和銷售中高端半導體發光二極管（LED）及其應用產品于一體的國家高新技術企業，主營業務為研發、生產與銷售LED器件及組件產品。其深耕電子及LED行業50余年，產品廣泛應用于消費類電子產品、家電產品、計算機、通訊、顯示及亮化 產品、通用照明、車燈、殺菌凈化、植物照明等領域。

對于第三代半導體的布局，國星光電表示，公司一直高度關注三代半領域的技術發展與技術研究，致力于打造高可靠性、高品質的功率器件封測業務。在上游芯片領域，公司有布局硅基氮化鎵的外延芯片；中游封裝領域，公司已建成第三代半導體功率器件實驗室及試產線；下游應用領域公司也在積極與相關企業洽談戰略性合作，并針對客戶的應用需求定制開發樣品等。

據了解，國星光電推出的SiC功率器件、功率模塊和GaN-DFN器件3大系列第三代半導體新產品，SiC功率器件可廣泛應用于大功率電源、充電樁等工業領域；GaN-DFN器件可廣泛應用于新能源汽車充電、手機快充等；功率模塊可廣泛應用于各種變頻器、逆變器的工業領域。

Micro LED方面，國星光電發揮子公司國星半導體與本部上下游聯動優勢，巨量轉移工藝取得突破性進展，產品良率高，同時國星半導體已開發了面向于P0.3間距及面向P0.1間距的Micro LED芯片系列，并實現小批量供貨給國星光電研究院。（日新）