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【專利解密】南大光電發(fā)明“高分辨率光刻膠方案”改善光刻膠成膜能力

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  • 2022-02-11
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【嘉勤點(diǎn)評(píng)】南大光電發(fā)明的高分辨率光刻膠方案,在采用含雙酯結(jié)構(gòu)的光致酸產(chǎn)生劑的條件下,通過(guò)添加帶酯鍵的酸擴(kuò)散抑制劑,進(jìn)一步改善了光刻膠的線寬粗糙度,不僅能夠提高光刻膠的分辨率,也可以增強(qiáng)光刻膠的成膜能力。

光刻膠(又稱光致抗蝕劑)是指通過(guò)紫外光、準(zhǔn)分子激光、電子束、離子束、X射線等光源的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料。主要用于集成電路和半導(dǎo)體分立器件的微細(xì)加工,同時(shí)在平板顯示、LED、倒扣封裝、磁頭及精密傳感器等制作過(guò)程中也有著廣泛的應(yīng)用。

由于光刻膠具有光化學(xué)敏感性,可利用其進(jìn)行光化學(xué)反應(yīng),將光刻膠涂覆半導(dǎo)體、導(dǎo)體和絕緣體上,經(jīng)曝光、顯影后留下的部分對(duì)底層起保護(hù)作用,然后采用蝕刻劑進(jìn)行蝕刻就可將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工的襯底上。

在整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程中,光刻膠中除了主體樹(shù)脂和光致產(chǎn)酸劑外,往往還要加入酸擴(kuò)散抑制劑,其主要作用是在曝光前阻止成膜樹(shù)脂的溶解,起阻溶作用,曝光后光刻膠中的光產(chǎn)酸劑所產(chǎn)生的酸則催化其脫去酸敏基團(tuán),使得酸擴(kuò)散抑制劑變成極性化合物,進(jìn)而促進(jìn)樹(shù)脂的溶解,從而增大了非曝光區(qū)與曝光區(qū)的溶解反差,提高抗蝕劑的分辨率。

目前,市面上可供光刻膠使用的酸擴(kuò)散抑制劑僅僅只是在結(jié)構(gòu)中增加一定數(shù)量的羥基,以增強(qiáng)其與樹(shù)脂間的相容性,并未解決如何進(jìn)一步改善光刻膠的分辨率的技術(shù)方案。因此,現(xiàn)有技術(shù)還有待改善。而南大光電則在2021年1月22日申請(qǐng)了一項(xiàng)名為“一種高分辨率光刻膠”的發(fā)明專利(申請(qǐng)?zhí)枺?02110089845.2),申請(qǐng)人為寧波南大光電材料有限公司。

在該專利中,發(fā)明了一種新型的高分辨率光刻膠方案,根據(jù)該專利目前公開(kāi)的相關(guān)資料,讓我們一起來(lái)看看這項(xiàng)技術(shù)方案吧。

在該方案中,主要采用含有雙酯結(jié)構(gòu)的光致產(chǎn)酸劑、帶酯鍵的酸擴(kuò)散抑制劑以及特定結(jié)構(gòu)的成膜樹(shù)脂來(lái)生產(chǎn)、制造高分辨率光刻膠,這些材料的混合,可以使得高分辨率光刻膠表現(xiàn)出較好的光刻性能。

其制備方法主要如下:首先,在氮?dú)獗Wo(hù)環(huán)境下,將98g的馬來(lái)酸酐溶解于100g甲苯中后,加入220g的環(huán)己醇以及50g的對(duì)甲苯磺酸,攪拌均勻后升溫至90℃進(jìn)行酯化反應(yīng)12h,加入100g乙酸乙酯并使用50mL的去離子水洗滌兩次,然后干燥有機(jī)層,脫溶得到162g的丁二酸酯類化合物。經(jīng)檢測(cè),該過(guò)程中的轉(zhuǎn)化率為58%。

其次,取56g的丁二酸酯類化合物溶于200g的去離子水中,加入25g的亞硫酸鈉,混合均勻后在100℃條件下反應(yīng)24h,反應(yīng)完成后采用500g的乙酸乙酯進(jìn)行萃取,然后脫溶,得到47g的雙酯基磺酸鈉化合物。經(jīng)檢測(cè),該過(guò)程中的轉(zhuǎn)換率為61%。

接著,取38g的雙酯基磺酸鈉化合物溶于100g去離子水中,滴加150g的三苯基氯化硫鎓鹽水溶液(質(zhì)量分?jǐn)?shù)20%),攪拌12h后,采用500g的二氯甲烷進(jìn)行萃取。然后采用50g的去離子水洗兩次,水洗后使用無(wú)水硫酸鎂干燥,脫溶得到38g的含雙酯結(jié)構(gòu)的光致酸產(chǎn)生劑。經(jīng)檢測(cè),該過(guò)程中的轉(zhuǎn)換率為62%。

最后,將通過(guò)上述過(guò)程制備得到的高分辨率光刻膠在硅片上以2500轉(zhuǎn)/分鐘的速度旋轉(zhuǎn)成膜,然后在120℃熱板上烘烤90s,烘烤完成后在曝光機(jī)上機(jī)上以曝光強(qiáng)度45mJ/cm2的光照曝光,曝光完成后在110℃熱板上烘烤90s,最后在2.38%TMAH顯影液中顯影60s,然后烘干在電子顯微鏡檢測(cè)光刻。

該方案得到的光刻圖像如上圖所示,可以看出,該方案制備得到的光刻膠減小了制作的電路的線寬和線寬粗糙度,其中含雙酯結(jié)構(gòu)的光致酸產(chǎn)生劑能產(chǎn)生有效的可控大體積酸,同時(shí)添加與帶酯鍵的酸擴(kuò)散抑制劑后可制備出高分辨率光刻膠,極大的提升光刻膠的分辨率。同時(shí),該材料與樹(shù)脂相容,提高了成膜后黏附性,改善了光刻膠的整體性能。

以上就是南大光電發(fā)明的高分辨率光刻膠方案,這種光刻膠在采用含雙酯結(jié)構(gòu)的光致酸產(chǎn)生劑的條件下,通過(guò)添加帶酯鍵的酸擴(kuò)散抑制劑,進(jìn)一步改善了光刻膠的線寬粗糙度,不僅提高了光刻膠的分辨率,也增強(qiáng)了光刻膠的成膜能力。

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  • 編輯:李娜
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