《日刊工業新聞》12 日報道，日本鎧俠 (Kioxia，原東芝存儲) 計劃在日本巖手縣的北上工廠新建一座3D NAND 閃存廠房，預計投資額將高達2萬億日元（合183.78 億美元），新廠將于 2023 年啟動運營。

鉅亨網指出，在云、 5G 通信等技術帶動下，內存的中長期需求持續被看好。鎧俠在設備投資方面砸下巨額資金，旨在與業界龍頭韓國三星以及買下英特爾 NAND 業務的 SK 海力士抗衡。

鎧俠在北上工廠的全新廠房被稱為“K2”，預計其規模將是 2020 年上半年展開運營的“K1”廠房的 2 倍。鎧俠已經在與 K1 相連的東面及北面約 15 萬平方公尺的土地展開準備工作，目前也正想辦法取得 K1 東南方位土地。

據悉，未來 K2 廠房使用的生產設備將以鎧俠生產主力的四日市工廠的現有設備為主。在2萬億日元投資中，除K2 廠房及附帶設施的興建費用外，也包含了四日市工廠的設備補充費用。在設備投資方面，鎧俠有可能采取與過去相同的做法，與其合作伙伴西部數據共同分擔費用。

K2 廠房將于 2022 年春左右著手興建，預計在 2023 年春完成廠房工程，并于數個月后展開 3D NAND 閃存的生產。目前鎧俠四日市工廠全新廠房也正在興建當中，工程分為兩期，一期工程預定于2022 年春天完工。

隨著國際形勢不斷變化，包括美國、歐洲等地都在推進半導體自主化進程。日本也意識到半導體制造的重要性，正加速吸引投資與重建國內供應鏈。（樂川）