集微咨詢:先進制程促光罩業發生蛻變 國產化進程需要系統級支撐
集微咨詢(JW Insights)認為:
- 光罩產品正在升級換代,其制造工藝也在不斷發生變化。
- 獨立光罩廠在行業發展中起到至關重要的作用。
- 光罩國產化進程是個系統工程,需要供應鏈各方面的共同努力。
光刻將芯片設計者的創造變成了真正的芯片,承載這些創造和工藝內容的載體就是光罩(Photomask)。作為芯片制造中最關鍵的材料之一,光罩上細微的缺陷都會影響到芯片的性能。集微咨詢(JW Insights)認為,為了配合先進工藝繼續發展,光罩產品正在升級換代,其制造工藝也在不斷發生變化。同時,國內半導體行業發展所帶來的難得機遇,也促使光罩國產化進程不斷加速。
光罩的特點和發展趨勢
光罩相當于芯片制造中的“底片”,是設計圖形的轉移工具或原版。使用光罩制作芯片的生產流程如下:
1.在基底材料上鍍上一層金屬鉻和感光膠,成為一種感光材料,制作成空白掩膜版。
2.將已設計好的電路圖形通過電子或激光設備曝光于感光膠上,被曝光的區域會被顯影出來,在金屬鉻上形成電路圖形,再將不需要的金屬層和膠層洗去,即得到光罩成品。
3.再通過光刻機將光罩上的精細電路圖像印制在襯底上(這里的襯底一般指的是硅晶圓,也可以是其他金屬層、介質層),繼而得到芯片。通常,芯片上的電路圖樣需要多張光罩才能制成。比如,在14nm工藝制程上,大約需要60張光罩,7nm可能需要80張光罩甚至更多。
光罩主要由基板和遮光膜兩個部分組成。基板分為樹脂基板和玻璃基板,玻璃基板主要包括石英和蘇打基板,遮光膜可以分為硬質遮光膜和乳膠兩種。
在芯片制造中經常用到的光罩有兩種:二元光罩(Binary Masks)和相偏移光罩(Phase-Shifting Photomask)。
- 二元光罩——光罩中的電路設計采用光吸收膜(例如鉻 (Cr))制作圖案。當用在晶圓微影設備時,光圖案會穿透過光罩,在硅晶圓上的光阻薄膜反映出成像。
- 相偏移光罩——類似二元光罩,但吸收膜(如二硅化鉬)可以傳輸一小部分光線,同時還可改變光線相位。這增加了光罩的復雜性,但是改善了晶圓微影的制程容許范圍。
工藝的復雜化使得光罩成本不斷提升。據IBS數據顯示,在16/14nm制程中,所用光罩成本在500萬美元左右,到7nm制程時,光罩成本迅速升至1,500萬美元。雖然從10nm到5nm,EUV光刻技術的應用使掩膜使用數量有所減少,但更復雜的制程工藝使得光罩總成本提升,側面反應了光罩平均成本在不斷提高。
先進半導體制程節點已經進入到3/5nm節點,光罩的產品競爭格局也在發生改變。傳統光罩出現減少的趨勢,而出現較大增長的是EUV光罩。由于光罩自制廠商逐步把EUV光掩膜投入到臺積電等最尖端工藝中,使EUV光掩膜市場出現了增長。根據SEMI統計, 2019年全球光罩市場規模已經達到41億美元,預計在2021年將超過44億美元。
同時,以7nm為分水嶺,光罩制作技術也在發生改變。如果說10nm還可以用VSB(可變形電子束寫入設備)的話,到7nm就都必須換成Multi-Beam(多電子束寫入設備)。與VSB使用單個電子槍不同,Multi-beam使用的是電子槍陣列,比如512X512的陣列,寫入電流密度降到了VSB的幾百分之一。 VSB寫入時間隨圖案復雜而增加,而Multi-Beam寫入時間與圖案復雜度無關,寫入時間可以減少10倍。另外,7nm上的EUV光罩也只能用Multi-Beam來制作。
獨立廠商不可缺位
盡管芯片行業有周期性波動,但是光罩市場一直在持續增長。根據SEMI數據,從2012年到2021年,光罩市場已經增長到46.47億美元的規模,預計2022年將達到48.99億美元規模。
自2012 年至今,半導體光罩最大市場是中國臺灣,韓國在2017年超過北美成為全球第二大市場。集微咨詢(JW Insights)估算,前三者的市場占比分別為39%、23%和18%。
中國大陸芯片業的大力發展也助推其光罩市場規模穩步擴大。2019年大陸半導體光罩市場規模為1.44億美元,2021年將達到1.95億美元,年均復合增長率達16.32%。
在經營模式上,光罩廠可分為晶圓廠自行配套工廠和獨立第三方光罩生產商兩大類。規模較大的晶圓廠都配有in-house(自有)工廠。如果涉及到核心技術、精度要求比較高的中高端光罩,晶圓廠會選擇自行生產,對技術比較成熟、相對市場化的光罩會選擇外購。對光罩精度和制作水平要求高的晶圓廠,一套光罩均交給一家供應商來做,以確保精度一致。不過由于交期等因素,晶圓廠可能會把相對簡單產品的光罩分拆到不同供應商, 主要視晶圓廠的技術成熟度、采購政策和市場供需情況而定。
通常情況下,晶圓廠往往將45nm以下先進制程的掩膜版自主研發,45nm以上成熟制程的掩膜版則交給第三方掩膜廠進行研發。
SEMI在2019年做出統計,全球半導體光罩市場中,65%的市場份額由晶圓廠自有光罩廠占據,剩余35%的份額則被獨立第三方光罩廠所瓜分,當前的市場比例也基本如此。
全球獨立半導體光罩產能主要集中在日本,日本凸版印刷Toppan和日本DNP公司分別占據全球32%和27%的市場份額,美國的Photronics公司占據23%的市場份額。臺灣光罩因為接獲臺積電擴大委外釋單,2021年市占率提升到10%,首度升級為獨立光罩廠第4名。
集微咨詢(JW Insights)認為,獨立光罩廠在行業發展中起到非常重要的作用,雖然晶圓廠的光罩制造能力在不斷增強,但若沒有獨立光罩廠的助力,技術的迭代速率會大為降低,行業發展會受到嚴重影響。
國產替代的挑戰
國內芯片產業鏈起步較晚,因此光罩產業發展也相對滯后,多數廠商還停留在中低端工藝技術上,高端市場主要由外商所主導。
國內規模型光罩企業主要分為兩類:一是晶圓廠自建工廠,包括中芯國際的光罩廠,華潤微電子的光罩廠(無錫迪思微電子)等;二是獨立光罩企業,包括中微掩膜、清溢光電和路維光電等。
中芯國際光罩廠是中國大陸技術水平最高的廠商,擁有大陸最大及最先進的光罩制造設施,可以生產0.5μm到14nm工藝的光掩模。配備了先進的設備工具,中芯光罩廠運用光學趨近效應修正技術(OPC),可提供二元鉻版光罩以及相移光罩。5"×5"和6"×6"的光罩均可用于G-line,I-line,深紫外線DUV及ArF步進曝光機和掃描曝光機。
無錫迪思微電子隸屬于華潤微電子代工事業群,是華潤微電子旗下負責掩模制造的業務單元。公司掩模業務擁有業界領先的激光和電子束等制版設備,可為客戶提供Frame、IP Merge、OPC等專項服務,能生產二元光罩、移相光罩、灰階光罩(Gray Mask)等產品。
中微掩模由中國電子科技集團公司第58所、中國電子科技集團公司和下屬13所、24所、47所和55所共同出資組成,可提供0.35~0.13μm,5英寸、6英寸二元光罩和6英寸相移光罩。
清溢光電和路維光電的強項在于平板顯示用光罩,正在積極布局芯片用光罩產品。清溢光電是科創板上市企業,芯片光罩已是其第二大收入光源,收入規模整體呈上升趨勢。公司在芯片光罩方面采用漸進的策略,力爭將量產工藝水平由現在的0.25μm提升至0.13μm。路維光電也實現了 0.25μm制程節點半導體光罩的量產,并掌握了0.18/0.15μm節點光罩制造核心技術。
國內光罩產業發展最大的挑戰是基板材料嚴重依賴進口。近年來,石英光罩憑借其精密度較高的優勢成為行業主流。全球領先光罩廠主要產品均為石英光罩,導致原材料石英基板需求日益增高。而石英基本生產廠商主要集中在日本和韓國,國內只有少數家企業有能力生產,芯片用高精度及高世代面板用基材,更是被日韓企業所壟斷。
同時,光罩生產設備多從日本進口,高端檢測設備則被美國所控制,而全球每年生產的設備數量有限,不僅存在購買競爭,而且價格十分昂貴。高端設備的缺乏也制約了光罩廠技術升級的速度。
綜合來看,光罩產業的國產化是不可阻擋的趨勢,但要實現目標還需多方努力。集微咨詢(JW Insights)認為,在國內晶圓廠加強與光罩廠合作開發的基礎上,原材料生產、設備制造等供應鏈各環節還要苦練內功、協同配合,這樣才能加快光罩國產化的進程。(Andrew)
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- 編輯:李娜
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