報道，4月21日及4月27日，東微半導先后發布2021年年度報告以及2022年第一季度業績報告。報告顯示，公司長期受益于功率半導體功率器件領域的高景氣，下游需求旺盛，2021年公司實現營業收入7.82億元，同比增長153.28%；歸屬于上市公司股東的凈利潤約1.47億元，同比增長430.66%；歸屬于上市公司股東的扣非凈利潤1.41億元，同比增長588.67%；綜合毛利率28.72%，同比增長10.87%；基本每股收益2.91元，同比增長385%。

今年第一季度，東微半導經營業績持續高速增長，實現營業收入2.06億元，同比增長45.50%；歸屬于上市公司股東的凈利潤4774.33萬元，同比增長129.98%；歸屬于上市公司股東的扣非凈利潤4709.94萬元，同比增長128.96%，主要系得益于公司工業及汽車級應用領域產品營收占比持續提高、大功率產品比重持續增加等因素，進一步提高了產品平均售價，使得第一季度銷售規模持續擴大的同時毛利率進一步增長至32.93%，環比增長3.95個百分點。

公開資料顯示，東微半導專注于高性能功率器件，產品廣泛應用于工業及汽車相關等中大功率應用領域。公司憑借優秀的半導體器件結構底層創新與工藝創新能力，集中優勢資源聚焦高性能高可靠性功率半導體器件的開發及產業化，是國內少數具備從專利到量產完整經驗的高性能功率器件設計公司之一，并在應用于工業級領域的高壓超級結、中低壓SGT功率器件、IGBT芯片領域實現了國產化替代。今年2月公司成功登陸上海證券交易所科創板并交出了首份亮眼業績，從其財報披露的技術研發和部分產品批量供貨的業務進展來看，東微半導在技術難度高、國產化率低的高性能功率半導體器件領域實現了多項創新技術的突破，正在躍升為國內功率半導體器件第一梯隊廠商的行列。

產品結構組合優化、IGBT持續放量，營收質量快速提升

東微半導主要產品包括GreenMOS系列高壓超級結MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低壓屏蔽柵MOSFET，以及Tri-gate IGBT系列公司主營產品廣泛應用于新能源汽車充電樁、新能源車車載充電機、通信電源、光伏逆變器、數據中心服務器電源、快速充電器等高速成長市場領域，其中2021年工業和汽車級應用領域營收占比逾60%。

公司年報中重點披露了東微半導的Tri-gate IGBT（TGBT）技術進展，其650V、1200V及1350V產品已于2021年第一季度進入小批量量產階段，第二季度實現批量供貨并迅速放量，實現對多個頭部客戶的第四代至第七代傳統IGBT產品的替代。根據公司年度報告數據顯示：Tri-gate IGBT產品全年實現營業收入568.17萬元，而上半年銷售額僅為22.95萬元，增速迅猛。TGBT產品具備高功率密度、開關損耗低、可靠性高、自保護等特點。在2022年有望在各高性能應用領域的迎來爆發性增長，成為公司新的王牌產品。

公司年度報告數據顯示：2021年度，高壓超級結MOSFET產品實現營業收入約5.7億，同比增長128.27%；中低壓屏蔽柵MOSFET產品實現營業收入約2.06億，同比增長246.85%；超級硅MOSFET產品實現營業收入較2020年同期增長432.63%；

營收占比最大的高壓超級結MOSFET是東微半導目前的主力產品系列，該細分市場長期以來主要被進口廠商占據，國內高性能高壓超級結MOSFET功率器件市場占比較小。在此情況下，東微半導自成立以來積極投入對高壓超級結MOSFET產品的研發，并始終以工業和汽車級應用為目標，迄今為止已大批量供貨給華為、比亞迪、特銳德、通用電氣、視源股份、英飛源、英可瑞、高斯寶、金升陽、雷能、美的、創維、康佳等全球知名客戶的認可，成為國內超級結MOSFET主要供應商，取得了良好的市場口碑和影響力。

在5G基站持續建設及新能源汽車相關需求放量的推動下，對超級結MOSFET的需求持續將高速增長，目前國產化率仍然較低，成長空間巨大。2021年東微半導體在持續提升第三代GreenMOS高壓超級結技術平臺產品性能的基礎上，進一步擴展產品規格，大量進入車載應用領域，在該領域實現10倍以上的增長。第四代GreenMOS高壓超級結技術已研發成功，預計將于今年開始批量供貨；基于12英寸先進工藝制程的高壓超級結MOSFET技術進入大規模穩定量產并進入大量工業應用領域，基于12英寸工藝制程的下一代超級結MOSFET技術開發進展順利；1000V以上高壓超級結MOSFET技術工程開發成功，具備量產能力。

產品規格不斷豐富大大提升了東微半導體的競爭力，并借此進一步拓寬了市場空間。新能源汽車直流充電樁和車載充電機作為東微半導體的主要細分市場，2021年向國內各主要的直流充電樁電源模塊廠商，以及車載充電機設計制造廠商持續批量出貨，終端客戶群覆蓋多個國內外知名新能源汽車品牌。通訊電源和基站電源是高壓超級結MOSFET的另一大主要應用領域，在去年實現了多個重要客戶的供貨增長并增加新的設計規格，進入客戶全球技術平臺。此外，在光伏逆變器和儲能應用中，大批量進入多個國內頭部客戶。

隨著主營產品業務的穩健增長，新型功率器件TGBT將成為公司下一波成長主力，伴隨公司大量工業及車規級高質量頭部客戶群體不斷導入，東微半導的產品和收入結構得到顯著優化，有力推動了公司的產品單價及毛利率的持續提升，為公司2022年持續高速成長提供重要支撐。

持續加大研發投入、專注器件結構創新，穩步邁入國內第一梯隊

產品組合的不斷豐富得益于東微半導持續加強研發投入特別是先進產品的研發。年報顯示2021年公司的研發投入同比增長了159.07%，持續推進上述產品平臺的技術迭代和升級，優化8英寸與12英寸芯片代工平臺的產品布局，在研發人員數量、專利數量、新品開發數量上均實現了快速增長。截止2021年底產品規格型號超過1790余款，其中高壓超級結MOSFET產品(包括超級硅MOSFET) 1100 款，中低壓SGT產品641款，IGBT產品52款。東微半導持續專注底層器件結構的創新，已授權專利中，結構創新的專利占比超過80%。

完整的研發團隊及體系與持續的研發投入使得東微半導體成為功率器件領域產品性能領先的本土企業之一，在高端工業級功率器件領域的技術能力與產品性能已可與國際一流廠商比肩，技術領域已邁入國內第一梯隊。憑借優秀的研發實力，公司在8英寸制程700V及以 GreenMOS高壓的超級結芯片、12英寸先進工藝GreenMOS超級結MOSFET、超級硅功率器件、TGBT等主要產品方面均已具備了國內領先甚至國際領先的核心技術，并在眾多高端應用領域替換國外產品，實現高端應用的國產化。其中，第一代650V TGBT電流密度已達到國際主流第七代IGBT的技術水平，消除了多年以來國產IGBT與進口IGBT芯片之間的技術代差。

加快布局第三代半導體功率器件

除加碼當前炙手可熱的IGBT技術外，東微半導同時也在加快第三代半導體功率器件的布局，并于2021年7月立項了第三代半導體SiC功率器件自主研發項目，主要針對以SiC的為襯底的第三代半導體材料功率器件進行研發，實現高性能功率器件技術的全覆蓋。根據Yole的數據，2019年應用在新能源汽車的SiC器件市場規模為2.25億美元，預計到2025年將增長至15.53億美元，復合增長率達38%。

目前采用公司獨創技術的高性能高可靠性第三代半導體MOSFET器件，已申請多項相關專利，產品開發順利進行。此系列產品將與公司的超高速系列TGBT互為補充，對采用傳統技術路線的SiC MOSFET進行升級替代，預計可應用于新能源汽車電驅系統、直流大功率新能源汽車充電樁、車載充電機、光伏逆變器、儲能逆變、UPS電源等領域。除此之外，公司在氮化鎵領域也已具備一定的技術積累和經驗，正積極關注和探索相關產品及其應用。

持續穩定供應商關系、保證產能供給，強化高質量客戶群體

2021年隨著下游需求持續增長以及上游原材料供應緊張，全球晶圓代工產能持續緊張，進一步導致了代工價格的增長。為此，東微半導與華虹半導體等多個國內外代工廠繼續保持穩定的業務和技術合作關系，隨著各家代工廠擴產，憑借優秀的產品和技術提升產能價值，公司有望持續獲得更多產能支持。在此基礎上，公司還與代工合作伙伴共同規劃產能、定義技術路線，實現更深度的合作，保障公司的新產品研發有序推進以及產品供應能力穩步增長。

由于功率半導體器件，尤其是高性能產品的開發需要器件設計與工藝平臺深度結合，研發團隊需對晶圓廠的基準工藝平臺進行深度優化和定制設計。因此東微半導在產品研發階段就與代工廠進行深度的討論，通過反復工藝調試以更好地實現芯片性能和經優化的產品。同時也持續關注并協助開發創新工藝流程，根據合作伙伴的制造能力進行深度定制化開發適配的工藝和產品，使雙方實現合作共贏。

憑借優異的技術創新實力、產業鏈深度整合能力和終端客戶定制化開發能力，東微半導已經與國內外各行業的龍頭客戶建立了長期的合作關系。在各類功率器件應用領域尤其是工業級、車規級應用領域獲得了眾多知名企業的認可，成為了該等客戶的少數國內供應商之一。公司與頭部客戶保持深度技術合作，有利于指引其新產品定義和技術方向，能夠持續為公司帶來高粘性，同時也將推動公司不斷進行技術迭代升級以滿足引領行業發展的頭部客戶需求，為公司保持高端功率器件領域的領先地位奠定基礎。

結語

在全球碳中和、碳達峰的時代背景下，新能源汽車、光伏逆變器、儲能應用、5G通信、數據中心服務器等領域對于高性能功率半導體器件的需求將迎來爆發式增長。公司在技術儲備，產品定位，應用領域和客戶群方面都處在極佳的競爭優勢地位，預計將充分受益于上述領域的長期高速發展。

正如公司所定位的堅持做難做的事情并通過底層創新實現技術的超越，正是這個時代中國所需要的企業精神，祝愿東微半導始終堅持初心，早日實現技術的跨越，成就半導體行業技術領軍者的目標。

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