今（2）日，臺積電線上技術論壇登場，會中揭示先進邏輯技術、特殊技術、以及3DFabric先進封裝與芯片堆棧技術的最新創新成果。那么臺積電都透露了哪些重要信息？

臺積電的晶圓代工技術一直走在業界前列，今日臺積電首次發表6納米RF（N6RF）制程，將先進的6納米邏輯制程所具備的功耗、效能、面積優勢帶入到5G射頻（RF）與WiFi 6/6e解決方案。據介紹相較于前一世代的16納米射頻技術，N6RF晶體管的效能提升超過16%。

臺積電表示，N6RF制程針對6GHz以下及毫米波頻段的5G射頻收發器提供大幅降低的功耗與面積，同時兼顧消費者所需的效能、功能與電池壽命，亦將強化支援WiFi 6/6e的效能與功耗效率。

5nm制程技術于2020年領先業界量產，目前已超過50萬片。臺積電指出，因應客戶強勁需求，2023年包括4nm的5nm系列制程產能將會比2020年大幅成長超過4倍。

4nm制程技術的開發進度相當順利，預計于2021年第3季開始試產，較原先規劃于2021年第4季試產提早了一季時間。臺積電先進技術業務開發處長袁立本指出，中低端手機、消費電子產品、手機基站和聯網產品需要考慮成本，因此這類產品采用最先進制程技術的時間會稍有延遲。目前多數產品采用16/12nm并正向6nm邁進，相信到2023年這類產品采用的主流技術會是4nm。

3nm制程技術將依原訂計劃于2022年下半年量產，屆時將成為全球最先進的邏輯技術。相較于5納米制程技術，3納米制程速度增快15%，功耗降低達30%，邏輯密度增加達70%。

另外，臺積電還將在新竹興建新晶圓廠，作為2nm生產基地，目前正在進行土地取得程序。

與此同時，臺積電持續推動先進封裝，計劃在2022年在先進封裝將達到五座廠生產。臺積已將相關技術整合為“3DFabric”平臺，納入所有 3D 先進封裝技術包含整合型扇出（InFO）家族、CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）等實現芯片堆疊解決方案如SoIC。

早于去年底就有消息傳出，臺積電將于美國亞利桑那州鳳凰城興建晶圓廠，今日臺積電總裁魏哲家提到，公司斥資 120 億美元在亞利桑那州建造 12 英寸晶圓廠，現階段已經開工，工程正順利進行。

另外，臺積電運營組織資深副總經理秦永沛也指出，美國廠位于亞歷桑納州鳳凰城機場的北邊，第1期正在興建中，預計2024年采用5nm量產芯片，月產能2萬片。根據其在現場播放的影片，臺積電美國廠面積達1100英畝（等于約445公頃），超過其臺灣廠區面積總和，較臺灣省新竹科學園大出一半面積以上。

（木棉）