三安光電湖南項目預計明日一期投產,率先建立本土碳化硅全產業化基地
6月22日,據悉,三安光電湖南項目預計明日一期投產,進行設備點亮。
湖南三安半導體有限責任公司是三安光電全資子公司,致力于第三代化合物半導體碳化硅及氧化鎵材料、外延、芯片及封裝的開發,占領第三代半導體核心領域制高點。三安光電建設的湖南第三代半導體項目將率先在國內建立碳化硅研發與生產全產業化基地。
三安光電Mini/Micro顯示產業化項目于2019年4月簽約,同年11月開工建設。今年4月16日,湖北三安光電項目第一批晶圓片正式投料。
據介紹,該項目占地756畝,總投資120億元,總建筑面積47.77萬平方米,一期建筑面積25萬平方米,集生產、研發、綜合配套于一體,是涵蓋上游外延片、芯片及中游封裝等產業化、專業性的復合式光電產業園,主要建設Mini顯示芯片封裝生產線及特種氣體供應站、污水處理站及研發實驗室等工程及配套設施。
項目建成后年產氮化鎵系列芯片161萬片、砷化鎵系列芯片75萬片、4K顯示屏用封裝產品年產84000臺。建成后預計年營業額71.75億元,年納稅額7.83億元,新增就業近9800人。將形成具有自主知識產權、掌握核心技術、掌握行業話語權,具有重要國際影響力的 Mini/Micro LED 芯片產業生產基地。
此外,項目一期計劃投資55億元,主要新建廠房、生產附屬用房及配套生活設施。截止2021年4月底,累計完成投資31.9億元,一期已建設完成。(Arden)
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- 編輯:李娜
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