6月25日，第五屆集微半導體峰會在廈門海滄正式開幕，本屆峰會以“心芯本相印，變化有鯤鵬”為主題，共計2天。在第一天的分析師大會上，北京半導體行業(yè)協(xié)會副秘書長、北京國際工程咨詢有限公司高級經(jīng)濟師朱晶就當前集成電路產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化替代因素和進程進行了分析。

在剛剛結束的“十三五”期間，我國集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模實現(xiàn)快速增長，總體規(guī)模年均復合增長率接近20%，設計、制造、封測三業(yè)年均復合增長率分別達到23%、23%、13%，在集成電路關鍵產(chǎn)品、設備與基礎材料等方面的自主研發(fā)能力都不斷提升。

根據(jù)Gartner預測，目前中國在蜂窩基帶芯片和CIS、AP、智能卡等消費電子芯片領域已取得了約10%的全球市場份額，未來三年，先進封裝也將取得這一成績，NAND存儲需要五年，而DRAM、用于電腦和服務器的MPU、先進工藝、半導體設備/材料/設備零部件以及EDA工具等領域可能需要花上十年時間。

朱晶指出，我國集成電路國產(chǎn)化將受到地緣因素、技術革新?lián)Q代、超大規(guī)模市場、半壟斷行業(yè)、拔尖人才外溢和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同等六大因素影響。

地緣因素。美國智庫大西洋理事會（Atlantic Council）今年發(fā)布的《新技術與數(shù)據(jù)的地緣政治影響委員會報告》中指出，地緣技術是指某項技術一旦重要到能夠影響社會運轉的程度，那么它就會被當成“地緣技術”來考量。未來十年全球將迎來“地緣技術十年（GeoTech Decade）”，涉及數(shù)字經(jīng)濟使能技術、智能系統(tǒng)技術、全球衛(wèi)生與健康技術、擴大人類、企業(yè)和政府活動疆界的技術、人類增強技術、未來基礎技術等六大領域。

當前集成電路產(chǎn)業(yè)即因為其作為未來基礎技術的重要性而被美國視為“地緣技術”，中美紛爭為地緣因素驅動集成電路國產(chǎn)化進程提供了外部條件，半導體設備、EDA等美企壟斷性強、技術壁壘高、人才稀缺的上游領域，國產(chǎn)化進程受此影響更為明顯。

朱晶表示，我國在上述領域尤其在光刻機、涂膠顯影機、檢測設備、先進制程離子注入機，以及光刻膠、硅晶圓等細分領域基礎差、任務重、研發(fā)難，且投入周期長、人才少，可能需要十年以上的國產(chǎn)化替代周期，需要舉國體制以釘釘子精神，長抓不懈。

技術革新?lián)Q代窗口因素。隨著摩爾定律越來越接近物理極限和工藝技術面臨光刻工藝、新材料及工藝、工藝波動、新結構、工藝整合及良率提升等方面的巨大挑戰(zhàn)，能夠延續(xù)摩爾定律，解決納米尺度器件面臨的短溝道效應、高泄漏電路和60mV/dec的亞閾值擺幅限制等問題，以FinFET技術為標志的后摩爾時代新器件技術已經(jīng)到來。朱晶將后摩爾時代總體分為三個階段：以晶體管結構、工藝和材料創(chuàng)新為主的延續(xù)摩爾階段；以應用驅動異質集成的擴展摩爾階段；以新器件、新原理、新材料應用創(chuàng)新的超越摩爾時代。

近年來，我國在先進領域的研發(fā)水平逐步提升，例如去年國內共有23篇ISSCC論文入選，位列全球第三，其中超過四分之一的論文由學術界和業(yè)界合作完成，比例超過韓國、美國。這意味著我國未來在新器件、新原理、新材料等方面有望趕上技術革新?lián)Q代窗口機遇。

超大規(guī)模市場因素。國內擁有全球最大的品牌整機需求，在超高清視頻、消費可穿戴、便攜式儲能和泛安防等領域具有場景定義權或者產(chǎn)品定價權，技術迭代快，微創(chuàng)新多，集成和方案能力強。面向中國特色市場的芯片領域國產(chǎn)化將受益于內循環(huán)加速，1~3年內快速實現(xiàn)國產(chǎn)化替代，或者從一開始就是國產(chǎn)芯片主導。

行業(yè)壟斷優(yōu)勢。新基建行業(yè)（泛信創(chuàng)）將帶動國產(chǎn)化率顯著提升，得益于系統(tǒng)+芯片協(xié)同開發(fā)的趨勢，供應鏈安全保障（主動開始和中小企業(yè)合作），生態(tài)意識等因素，將帶動功率半導體、家電相關芯片、智能電網(wǎng)相關芯片、5G相關芯片等領域國產(chǎn)化率大幅提升。

拔尖人才外溢。在一些長期被海外巨頭壟斷、技術壁壘較高、國內本土人才奇缺的領域，近年來出現(xiàn)明顯的人才外溢，例如GPU、EDA、模擬、射頻（濾波器）、設備（前道量測、光刻零部件）等。這是由于國產(chǎn)替代導致海外企業(yè)收縮國內布局，疫情影響、科創(chuàng)板帶來的財富效應、海外企業(yè)并購中國區(qū)變動、國內企業(yè)整合等等市場變動所導致。

基于拔尖人才外溢帶來的國產(chǎn)化推進將面臨的一個問題是技術力量分散。以GPU領域為例，近幾年從硅谷英偉達、高通、海思以及國內的AMD分公司、兆芯（S3）和海思等企業(yè)外溢出的人才，催生了登臨、天數(shù)智芯、沐曦、摩爾線程、海飛科、壁仞等一批GPU創(chuàng)業(yè)團隊。這些企業(yè)在一定程度上能幫助中國實現(xiàn)GPU從0到1的突破，但這些領域的替代難度往往不是僅靠人才就能解決的。

產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同。部分產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)的國產(chǎn)化需要產(chǎn)業(yè)鏈下游的國產(chǎn)化率先有所提升，大大提高了國產(chǎn)替代的難度。例如光刻機與光刻膠需要搭配使用，那么這兩者在新產(chǎn)品開發(fā)、產(chǎn)品銷售等方面均存在一定協(xié)同效應，所以光刻膠能做好的先決條件是國產(chǎn)光刻機也要達到一定的水平。其他類似的領域還包括關鍵IP、裝備零部件等。

朱晶認為，在上述六大因素驅動下，各領域集成電路國產(chǎn)化替代進程將有不同程度的節(jié)奏。在超大規(guī)模市場和半壟斷行業(yè)因素影響下，門檻較低的消費電子芯片以及工業(yè)、軌道交通芯片、汽車半導體、5G基站芯片等領域將在未來5年內率先實現(xiàn)國產(chǎn)化替代；在技術革新?lián)Q代因素影響下，門檻較高的智能計算、新型存儲、AI+EDA、先進封裝、寬禁帶半導體將在未來5~7年實現(xiàn)國產(chǎn)化替代；在技術性地緣、需要產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同、人才等因素影響下的GPU、EDA和IP、射頻前端模組、光刻膠、半導體零部件以及企業(yè)級SSD主控等領域，先進工藝、前道量測/離子注入/光刻機等半導體設備和硅片、化學品、特氣等半導體材料則需要7年甚至10年以上的國產(chǎn)化替代過程。

面對產(chǎn)業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)國產(chǎn)化進程受不同的因素影響，朱晶認為在限制條件下的產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新有時比原始創(chuàng)新還困難，對此她提出幾點建議。

第一，在“十四五”期間加大對集成電路產(chǎn)業(yè)技術和工程化創(chuàng)新的重視，推動集成電路企業(yè)真正成為技術創(chuàng)新的主體，成為“提出需求、增加投入、組織研究、主導應用轉化”的載體。

第二，在現(xiàn)有科技計劃管理體系之外設立相對獨立的顛覆性技術創(chuàng)新計劃，支持各類創(chuàng)新主體開展更具挑戰(zhàn)性、高風險性的創(chuàng)新活動，以發(fā)掘能為集成電路產(chǎn)業(yè)帶來根本性轉變的技術。

第三，以集成電路領域具備自主知識產(chǎn)權和行業(yè)引領力的龍頭企業(yè)為主體，促進產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)以及各類科研和工程創(chuàng)新載體的融通發(fā)展，推動組建基于國產(chǎn)集成電路供應鏈體系的創(chuàng)新聯(lián)合體，加快形成強協(xié)同、弱耦合的創(chuàng)新生態(tài)。

第四，重視特色工藝，滿足某些產(chǎn)品高端化過程中對工藝技術的差異化需求和產(chǎn)能需求、例如大部分高端模擬集成電路產(chǎn)品，需要實現(xiàn)在設計和工藝方面的緊耦合。

第五，對于在國內工作的非中國籍集成電路人才，給予個稅減免優(yōu)惠、不動產(chǎn)購置稅收減免等措施以鼓勵其長期留居中國。對企業(yè)引進海外高端人才給予企業(yè)所得稅等稅收優(yōu)惠，以鼓勵人才引進。同時加大集成電路一級學科建設的支持力度和資源投入，保證經(jīng)費和政策支持。

第六，通過非市場的手段，解決不符合經(jīng)效益的部分領域。

本屆峰會由半導體投資聯(lián)盟和手機中國聯(lián)盟主辦，愛集微和廈門半導體投資集團承辦。集微峰會從25號持續(xù)到26號，在26號的活動中，將有集微主題峰會、投融資論壇、EDA/IP&高端通用芯片（GPU/AI）專場論壇、微電子學院院長論壇（邀請制）、清華/中科大/西電/北大/復旦/東南/北航/廈大/交大/成電校友會論壇等重磅內容，敬請關注。（Sky）

,賓大,99網(wǎng),600779股吧 http://www.cityruyi.com/lm-2/lm-3/576.html