【嘉勤點評】華為的封裝結構專利，通過將為主要熱源的芯片封裝于載板的一側且外露于第一塑封體，其余封裝于載板的另一側，使熱量能夠直接向外擴散，進而有效提高整個系統級封裝結構的散熱性能。

SiP系統與芯片上使用的SoC技術相比，集成度高，但研發周期短，非常適用于更新周期短的通訊及消費級產品市場。在摩爾定律逐漸式微的今天，SiP已經被看做是半導體技術突破的新希望。

具備微型體積、低耗電特點的系統級封裝結構，將大量的電子器件，如電容、電感、電阻等以及線路包覆在極小的封裝內，可廣泛應用于無線通信模塊、便攜式通訊產品等等。傳統的封裝結構通常包括基板、無源器件、芯片和塑封體，其中，塑封體將無源器件和芯片封裝于基板的一個表面上，以平鋪的方式進行設置。由于無源器件和芯片通常在高度上存在差異，故塑封體也需具備較大的厚度，芯片所產生的熱量一般沿朝向基板的方向進行傳導，導致封裝結構的散熱性能較差。

為此，華為于2019年12月27日申請了一項名為“一種系統級封裝結構及其封裝方法”的發明專利（申請號: 201911390164.9），申請人為華為技術有限公司。

圖1 系統級封裝結構封裝方法流程示意圖

圖1為本發明提出的系統級封裝結構的封裝方法的流程示意圖，主要包括以下步驟：

首先將芯片安裝于載板的第一表面上（201）?？上葴蕚湟粔K載板，該載板可為包含金屬層的基板也可為金屬框架，在載板的第一表面上安裝芯片。

然后對芯片進行塑封，以在第一表面形成第一塑封體，其中，芯片中遠離載板的表面外露于第一塑封體（202）。該過程主要為：在芯片中遠離載板的表面上設置一層薄膜，并在薄膜與第一表面之間注入塑封體，形成第一塑封體后，從芯片上取走薄膜。其中第一塑封體僅包圍芯片的四周，使得芯片中遠離載板的表面外露于第一塑封體。為了封裝結構的平面更加完整平滑，可以使芯片與第一塑封體中遠離載板的表面構成一個完整平滑的平面，有利于整個封裝結構的安裝和使用。

之后將無源器件安裝于載板的第二表面上，第一表面與第二表面相對設置（203）。在準備載板后，還可在載板的第二表面上安裝無源器件，其中，第一表面與第二表面為載板上相對設置的兩個表面。

最后對無源器件進行塑封，以在第二表面形成第二塑封體（204）。在載板的第二表面安裝無源器件后，可對無源器件進行塑封，以在第二表面上形成第二塑封體。其中，無源器件的封裝方式有多種，例如，無源器件被第二塑封體覆蓋，又如，第二塑封體僅包圍無源器件的四周，即無源器件中遠離載板的表面外露于第二塑封體等等，其封裝方式可根據實際需求進行相應設置。至此，第一塑封體和第二塑封體分別將芯片和無源器件固定于載板的兩側，使得整個封裝結構的結構完整，并且層次分明。

簡而言之，華為的封裝結構專利，通過將為主要熱源的芯片封裝于載板的一側且外露于第一塑封體，其余封裝于載板的另一側，使熱量能夠直接向外擴散，進而有效提高整個系統級封裝結構的散熱性能。

華為專注于ICT領域，致力于將最新的科技帶給消費者。在當今后摩爾時代，掌握了SiP技術將極大增強未來競爭的優勢，因此華為將持續創新，努力領跑SiP封裝行業。

（holly）