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消息（文/思坦），“在元素周期表耗盡之前，我們將堅(jiān)持不懈地追求摩爾定律，用硅的魔力進(jìn)行創(chuàng)新。”在26日舉行的名為“英特爾加速”的網(wǎng)絡(luò)直播中，英特爾CEO Pat Gelsinger如是說。

在這次直播中，英特爾同步發(fā)布了迄今為止最詳細(xì)的流程和封裝技術(shù)路線圖之一，展示了一系列將在2025年及以后為產(chǎn)品提供動(dòng)力的基礎(chǔ)性創(chuàng)新。

除了立下4年追5個(gè)節(jié)點(diǎn)的目標(biāo)外，宣布使用新的節(jié)點(diǎn)命名規(guī)則，被認(rèn)為是英特爾在先進(jìn)制程上為自己的正名，也是對(duì)臺(tái)積電、三星等昔日手下敗將的再次宣戰(zhàn)。

然而，新命名真的能為英特爾正名嗎？所謂的“埃時(shí)代”，真的能成為英特爾重新奪回霸主地位的轉(zhuǎn)折點(diǎn)嗎？

線路圖關(guān)鍵：拋棄“納米”、節(jié)點(diǎn)命名“概念化”

根據(jù)英特爾所說，除了其去年推出、并于近期實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)的10nm SuperFin節(jié)點(diǎn)仍將使用該命名外，接下來的所有節(jié)點(diǎn)將不再以半導(dǎo)體晶體管尺寸（“納米”）命名，而是基于客戶看重的關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)，即性能、功率和面積，將命名“概念化”。

圖源：英特爾

首先，原本名為Enhanced SuperFin的節(jié)點(diǎn)將改名為Intel 7。與Intel 10nm superin相比，Intel 7每瓦性能將提高10%-15%，今年底的Alder Lake筆記本處理器與明年初的Sapphire Rapids數(shù)據(jù)中心處理器將搭載。

Intel 7之后，Intel 4相當(dāng)于傳統(tǒng)命名中的7nm，將完全采用EUV光刻技術(shù)，也是英特爾首個(gè)完全采用EUV技術(shù)的制程節(jié)點(diǎn)。計(jì)劃于2022年下半年投產(chǎn)，2023年出貨，搭載的產(chǎn)品包括面向客戶端的Meteor Lake和面向數(shù)據(jù)中心的Granite Rapids。其中，Meteor Lake已于上季度tape in。

Intel 3則是在Intel 4的基礎(chǔ)上，對(duì)FinFET晶體管結(jié)構(gòu)進(jìn)行了進(jìn)一步優(yōu)化，同時(shí)在制造工序中再度增加了EUV的使用，每瓦性能再提升約18%，同時(shí)在芯片面積上有額外改進(jìn)，預(yù)計(jì)將于2023年下半年投產(chǎn)。

之后就被英特爾認(rèn)為具有劃時(shí)代意義的Intel 20A節(jié)點(diǎn)，半導(dǎo)體制程將告別“納米時(shí)代”，正式進(jìn)入“埃時(shí)代”。“埃”（Angstrom）是 0.1nm的長(zhǎng)度， Intel 20A實(shí)質(zhì)上等同于傳統(tǒng)命名規(guī)則中的2nm。Intel 20A預(yù)計(jì)于2024年量產(chǎn)，高通為已確定將成為使用Intel 20A制程技術(shù)的客戶之一。

在此節(jié)點(diǎn)，英特爾將推出兩大突破性技術(shù)：RibbonFET是英特爾對(duì)Gate All Around（GAA）晶體管的實(shí)現(xiàn)，也是公司自2011年首創(chuàng)FinFET以來的第一個(gè)新的晶體管架構(gòu)，能夠在更小的面積內(nèi)用相同的電流提供更快的晶體管開關(guān)速度；

PowerVia則是英特爾業(yè)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)的獨(dú)特的背面電源傳輸，通過將芯片正面供電的回路與訊號(hào)傳遞的回路分離，移到芯片的背部，避免供電與信號(hào)之間的干擾，優(yōu)化信號(hào)的傳遞。

最后，基于Intel 20A的改進(jìn)版Intel 18A也已進(jìn)入開發(fā)階段，憑借對(duì)RibbonFET的改進(jìn)，將在晶體管性能上實(shí)現(xiàn)又一次重大飛躍。預(yù)計(jì)將于2025年年初問世。

與此同時(shí)，英特爾還致力于定義、構(gòu)建和部署下一代High-NA EUV（高數(shù)值孔徑EUV），有望率先獲得業(yè)內(nèi)第一臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)。為此，公司正與ASML保持密切合作，力求這一行業(yè)性突破能夠超越當(dāng)代EUV。

新命名背后：“埃時(shí)代”來臨、英特爾正名

事實(shí)上，無論從當(dāng)前先進(jìn)制程發(fā)展現(xiàn)狀等客觀因素，亦或是英特爾自身主觀意愿上看，新制程命名方式的問世，都是符合邏輯的。

從客觀因素上看，隨著行業(yè)越來越接近“1nm”節(jié)點(diǎn)，新的命名規(guī)則反映了向新時(shí)代的過渡，即工程師在原子水平上制造器件和材料的時(shí)代——半導(dǎo)體的“埃時(shí)代”。

此外，目前對(duì)于節(jié)點(diǎn)的命名是以半導(dǎo)體上最小的零組件尺寸為基礎(chǔ)，雖然說就廣義上來說代表示技術(shù)演進(jìn)的世代，但就算是這些零組件本身，也會(huì)因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)和技術(shù)，而在性能上有著差異。英特爾也表示，隨著公司進(jìn)入代工市場(chǎng)，采取這一舉措是為了方便客戶將其與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手進(jìn)行比較。

一些分析師也表示，用來描述芯片制造進(jìn)步的舊方法已不再適用。美國芯片分析師帕特里克?穆爾黑德（Patrick Moorhead）認(rèn)為，就芯片制造技術(shù)而言，隨著其他方面的重要性日益突顯，這個(gè)術(shù)語已沒有多少意義。

以英特爾與臺(tái)積電、三星在傳統(tǒng)命名規(guī)則中的同一制程節(jié)點(diǎn)為例，在10nm節(jié)點(diǎn)上，臺(tái)積電達(dá)到了每平方毫米5300萬個(gè)晶體管密度，三星為5200萬個(gè)，但英特爾10nm節(jié)點(diǎn)具有1.06億個(gè)晶體管密度，甚至優(yōu)于臺(tái)積電和三星的7nm節(jié)點(diǎn)。

因此在這一層面上，新的命名規(guī)則也被解讀為英特爾在先進(jìn)制程工藝上為自己的“正名”。VLSI Research主管丹?哈奇森（Dan Hutcheson）表示，舊命名規(guī)則讓英特爾看起來落后臺(tái)積電兩年，而實(shí)際上只落后大約6個(gè)月。

著名半導(dǎo)體分析師陸行之同樣認(rèn)為，英特爾的10nm和7nm制程技術(shù)，確實(shí)與臺(tái)積電的7nm與4nm技術(shù)不相上下。英特爾放棄了過去在節(jié)點(diǎn)名稱上的堅(jiān)持，回歸產(chǎn)業(yè)正軌，產(chǎn)業(yè)分析師今后也只需關(guān)注各家資本開支、量產(chǎn)時(shí)點(diǎn)、良率、產(chǎn)能利用率、成本等。

以此類推，英特爾2022年原本要用10nm SuperFin加強(qiáng)版量產(chǎn)做的筆電CPU Alder Lake、服務(wù)器CPU Sapphire Rapids正名為7nm，與臺(tái)積電相差4年；2023年原本要用7nm量產(chǎn)做的筆電CPU Meteor、服務(wù)器CPU Granite Rapids正名為4nm，與臺(tái)積電相差一年。

另外，英特爾3nm要在2023年下半年投片量產(chǎn)，與臺(tái)積電相差1年；2nm/20A Angstrom要在2024年量產(chǎn)，應(yīng)該與臺(tái)積電2nm/20A投片量產(chǎn)時(shí)點(diǎn)不相上下。

不過，所謂“正名”也不過是將英特爾與臺(tái)積電、三星等對(duì)手的距離拉近了一些而已。作為曾經(jīng)的先進(jìn)制程領(lǐng)頭羊，英特爾要在該線路圖下奪回王座，意味著到2025年的4年內(nèi)要追5個(gè)節(jié)點(diǎn)，同時(shí)進(jìn)行至少一次的技術(shù)轉(zhuǎn)換，這份野心，眼下的英特爾是否能承擔(dān)？

分析師褒貶不一：英特爾更謹(jǐn)慎了嗎？

鑒于英特爾此前在先進(jìn)制程進(jìn)度上“放鴿子”的先例，對(duì)這份全新的技術(shù)線路圖，唱衰者不在少數(shù)。

路透社文章指出，英特爾面臨的最大問題是，其計(jì)劃最終能否兌現(xiàn)，因?yàn)樵谇叭问紫瘓?zhí)行官科再奇（Brian Krzanich)任內(nèi)，該公司在技術(shù)方面的承諾已拖延多年。就在最近幾周，英特爾宣布推遲發(fā)布Sapphire Rapids。

韋德布什證券（Wedbush Securities)分析師馬特·布萊森（Matt Bryson)認(rèn)為，“對(duì)投資者來說，周一的聲明并不是特別令人放心。”這提醒人們，復(fù)出計(jì)劃需要花費(fèi)多少時(shí)間和金錢。“沒有保證，”即使根據(jù)英特爾自己的時(shí)間表，也需要數(shù)年時(shí)間才能趕上臺(tái)積電。

對(duì)于英特爾聲稱采用新命名是為幫助客戶對(duì)整個(gè)行業(yè)的制程節(jié)點(diǎn)演進(jìn)建立一個(gè)更準(zhǔn)確的認(rèn)知，布萊森也認(rèn)為并不必要。“你推銷的對(duì)象非常了解產(chǎn)品之間的差異。”

分析師穆爾黑德也強(qiáng)調(diào)：“如果他們（英特爾）如期實(shí)現(xiàn)所有目標(biāo)，他們就有可能于2024年重回領(lǐng)先地位——但這是一個(gè)很大的‘如果’。”

與高通在Intel 20A節(jié)點(diǎn)上的合作同樣暗藏隱憂。路透社認(rèn)為，高通正在通過筆記本電腦處理器進(jìn)入個(gè)人電腦市場(chǎng)，這與英特爾的主要業(yè)務(wù)形成了直接競(jìng)爭(zhēng)。

另外也有部分聲音稱，英特爾比過去更加謹(jǐn)慎，線路圖的發(fā)布是一種信號(hào)，也是宣戰(zhàn)。

不過，科技公司Real World旗下分析師大衛(wèi)·坎特（David Kanter)表示，此前英特爾多年的拖延部分是由于在一代人的技術(shù)中解決多個(gè)技術(shù)問題的“自大”造成的。而這一次，英特爾將在四年內(nèi)推出五代技術(shù)，解決更小的問題，而且，如果沒有準(zhǔn)備好，英特爾也不會(huì)在Intel 18A節(jié)點(diǎn)中采用新的EUV技術(shù)。

“在未來幾年，英特爾絕對(duì)會(huì)迎頭趕上，并在某些方面領(lǐng)先于臺(tái)積電。”坎特說。

陸行之對(duì)此也抱有相同的看法。其27日在Facebook上發(fā)表的文章稱，一般人認(rèn)為，英特爾制程工藝追不上臺(tái)積電，用改名更快，但他認(rèn)為臺(tái)積電不能輕敵，這雖然是宣戰(zhàn)，但也算是縮短差距的彎道加速超車新策略。

此外，“這是Pat Gelsinger上任CEO后，英特爾一口氣公布未來5年的制程工藝藍(lán)圖，以后再延遲，就一翻兩瞪眼很難看了。”陸行之說。

總結(jié)

值得一提的是，在發(fā)布線路圖的當(dāng)天，英特爾也正式宣布，亞馬遜的AWS云計(jì)算部門將成為首個(gè)使用英特爾代工服務(wù)（IFS）封裝解決方案的客戶。而在此之前，英特爾收購格芯所引發(fā)的回響也尚未平息，業(yè)內(nèi)大部分認(rèn)為，后者為英特爾在代工業(yè)務(wù)的重要加碼。

這些跡象均表明，英特爾此番確實(shí)來勢(shì)洶洶，先進(jìn)制程、代工業(yè)務(wù)諸多線路并進(jìn)，劍指旁落多年的半導(dǎo)體霸主地位。而在臺(tái)積電、三星先進(jìn)制程同樣進(jìn)展迅速的背景之下，可以預(yù)見，三雄爭(zhēng)霸的場(chǎng)面即將再現(xiàn)。

（小山）

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