報道（文/清泉） 在摩爾定律的指引下，集成電路上的晶體管數量在不斷提升，業界用XXnm來描述工藝制程，例如：40nm、28nm、14nm、10nm等，數字越小，工藝越先進。但隨著晶體管逐漸接近物理極限，這樣的命名方式已無法準確反應真實的半導體工藝制程，新的命名方式也就應運而生了。

2021年7月27日，英特爾公司CEO帕特·基辛格在以“英特爾加速創新”為主題的全球線上發布會上展示了英特爾未來的制程及封裝技術路線圖，其中，英特爾對新的制程節點命名方式進行了變革，宣布了一項新的命名規則：從10nm以下，XXnm的叫法被摒棄，取而代之的是Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A、Intel 18A。

為何擯棄XXnm的叫法？這要從它最初的命名來源說起。

據悉，稱呼制程工藝節點為XXnm，與晶體管的柵極長度相對應。最初以微米為度量單位，隨著晶體管越變越小，柵極的長度越來越微縮，業界開始以納米為度量單位。隨著新技術的不斷進步，例如應變硅（strained silicon）、FinFET等創新技術的出現，除了縮小晶體管外，讓它們更快、更便宜和更高能效也變得同樣重要，從這時開始，傳統的XXnm命名方法其實已不再與實際的晶體管的柵極長度相匹配。

帕特·基辛格表示：“如今，整個行業，包括英特爾在內，使用著各不相同的制程節點命名和編號方案，這些多樣的方案既不再指代任何具體的度量方法，也無法全面展現該如何實現能效和性能的最佳平衡。因此，英特爾更新了自己的命名體系，以創建一個清晰、一致和有意義的框架，幫助客戶對整個行業的制程節點演進獲得更準確認知，進而做出更明智的決策。”

英特爾的新命名法則給用戶傳遞了哪些清晰的認知呢？

從英特爾公布的路線圖來看，Intel 7基于FinFET晶體管優化而成，與Intel 10nm SuperFin 相比，每瓦性能將提升約10%-15%；Intel 4完全采用EUV光刻技術，可使用超短波長的光，刻印極微小的圖樣，每瓦性能約有20%的提升，芯片面積也有改進；Intel 3憑借FinFET的進一步優化和在更多工序中增加對EUV的使用，相比Intel 4將在每瓦性能上實現約18%的提升，在芯片面積上也會有額外改進；Intel 20A將憑借RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術開啟埃米時代；Intel 18A節點尚在研發中，將于2025年初推出，它將對RibbonFET進行改進，在晶體管性能上實現又一次重大飛躍。

可以看出，性能和功耗是英特爾命名新規則的一個關鍵指標。

Performance、Power和Area是評估半導體產品的非常重要的三個指標，英特爾新制程節點命名法可以說正是體現了每瓦性能這一關鍵指標，從Intel 7到Intel 4，每瓦性能實現了較大幅度20% 的提升，從命名上也體現了這一點。英特爾方面表示，新的命名方法希望能給用戶提供一個完整的框架，讓用戶能更準確的理解獲取英特爾的不同制程工藝的特點。

事實上，兩年前的Hotchips大會上，半導體技術專家黃漢森（時任臺積電研發負責人）就曾公開發表過類似的觀點。他指出，摩爾定律未來還會繼續有效，但描述工藝制程節點的XXnm說法已經不科學了，因為它與晶體管柵極已經不是絕對相關的關系了，制程節點已經變成了一種營銷游戲。

不過，要想改變行業多年的一種約定俗成的慣例實非易事，目前，英特爾之外，其他公司依然在采用XXnm的命名法則，例如，臺積電、三星等在公開的文案中，都仍在采用XXnm的方式來界定其不同的制程工藝節點。

不管業界是否跟進，作為摩爾定律的提出者以及半導體先進工藝的領導者，英特爾新的命名法則為業界提出了一種新的選擇。在晶體管體積不斷接近物理極限，而業界對性能、功耗、集成度的需求仍有增無減的情況下，僅僅通過縮微工藝已無法滿足需求，集新材料、新結構器件、新封裝等創新技術于一體才能實現速度更快、體積更小、能效更高、成本更低的終極需求。而這一切的重要的實現方式——工藝制程——它的命名方式當然也需與時俱進，跟上技術的發展步伐。（Sky）

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